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AOT270AL

AOT270AL

참조 용

부품 번호 AOT270AL
PNEDA 부품 번호 AOT270AL
설명 MOSFET N-CH 75V 21.5A TO220
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
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AOT270AL 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOT270AL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOT270AL, AOT270AL 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 324.4 KB)
PDFAOT270AL 데이터 시트 표지
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  • AOT270AL Distributor

AOT270AL 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)21.5A (Ta), 140A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs206nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10830pF @ 37.5V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.1W (Ta), 500W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220
패키지 / 케이스TO-220-3

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

182mOhm @ 12.5A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

7V @ 4.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 15V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

306W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247G

패키지 / 케이스

TO-247-3

IPI80P03P4L04AKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 253µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

+5V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

137W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SPI07N60S5HKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 350µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

970pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3-1

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

APT43M60L

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

215nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8590pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

780W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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NTMFS4C50NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

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