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AOT9N70

AOT9N70

참조 용

부품 번호 AOT9N70
PNEDA 부품 번호 AOT9N70
설명 MOSFET N-CH 700V 9A TO220
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
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AOT9N70 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOT9N70
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOT9N70, AOT9N70 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 403.1 KB)
PDFAOT9N70 데이터 시트 표지
AOT9N70 데이터 시트 페이지 2 AOT9N70 데이터 시트 페이지 3 AOT9N70 데이터 시트 페이지 4 AOT9N70 데이터 시트 페이지 5 AOT9N70 데이터 시트 페이지 6

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AOT9N70 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1630pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)236W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220
패키지 / 케이스TO-220-3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Ta), 38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 32V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

BSM180C12P2E202

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

204A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 35.2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

+22V, -6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1360W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

Module

패키지 / 케이스

Module

FDS3672

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2015pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 350µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

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