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AOTF15S65L

AOTF15S65L

참조 용

부품 번호 AOTF15S65L
PNEDA 부품 번호 AOTF15S65L
설명 MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 18,684
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOTF15S65L 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOTF15S65L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOTF15S65L, AOTF15S65L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 529.68 KB)
PDFAOB15S65L 데이터 시트 표지
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AOTF15S65L 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈aMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17.2nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds841pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)34W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1690pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223

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제조업체

IXYS

시리즈

PolarHT™ HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

140A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

FQI4N20TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK (TO-262)

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IXFK48N50

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

48A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

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SQM40P10-40L_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

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134nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

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5295pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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