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AOTF6N90

AOTF6N90

참조 용

부품 번호 AOTF6N90
PNEDA 부품 번호 AOTF6N90
설명 MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
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예상 배송 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOTF6N90 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOTF6N90
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOTF6N90, AOTF6N90 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 353.22 KB)
PDFAOTF6N90 데이터 시트 표지
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AOTF6N90 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1450pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)50W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 15V

Vgs (최대)

+19V, -8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

113.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

395mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

718pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

56W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6) HV

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

IRL6283MTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®, StrongIRFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Ta), 211A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.75mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

158nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8292pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 63W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MD

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MD

IPD85P04P407ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 85A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

89nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6085pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

88W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

102nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

650W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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