APT25GN120B2DQ2G
참조 용
| 부품 번호 | APT25GN120B2DQ2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | APT25GN120B2DQ2G | ||||||||||||||||||
| 설명 | IGBT 1200V 67A 272W TMAX | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 2,224 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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APT25GN120B2DQ2G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APT25GN120B2DQ2G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
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- APT25GN120B2DQ2G Distributor
APT25GN120B2DQ2G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | NPT, Trench Field Stop |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 1200V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 67A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 75A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| 전력-최대 | 272W |
| 에너지 전환 | 2.15µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 155nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 22ns/280ns |
| 테스트 조건 | 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 Variant |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 75A 전류-수집기 펄스 (Icm) 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A 전력-최대 290W 에너지 전환 115µJ (on), 195µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 35nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 8ns/35ns 테스트 조건 390V, 20A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 430V 전류-수집기 (Ic) (최대) 30A 전류-수집기 펄스 (Icm) - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.0V @ 5V, 10A 전력-최대 125W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 22nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 500ns/4µs 테스트 조건 300V, 8A, 100Ohm, 5V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 TO-252 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 650V 전류-수집기 (Ic) (최대) 85A 전류-수집기 펄스 (Icm) 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대 277W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 94nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 42ns/137ns 테스트 조건 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 54ns 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247N |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 90A 전류-수집기 펄스 (Icm) 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 45A 전력-최대 300W 에너지 전환 360µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 135nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C -/151ns 테스트 조건 400V, 45A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 498ns 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 8.5A 전류-수집기 펄스 (Icm) 34A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A 전력-최대 38W 에너지 전환 80µJ (on), 160µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 15nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 19ns/116ns 테스트 조건 480V, 5A, 100Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 D-Pak |
