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APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

참조 용

부품 번호 APT33GF120LRDQ2G
PNEDA 부품 번호 APT33GF120LRDQ2G
설명 IGBT 1200V 64A 357W TO264
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,724
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT33GF120LRDQ2G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT33GF120LRDQ2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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APT33GF120LRDQ2G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)64A
전류-수집기 펄스 (Icm)75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A
전력-최대357W
에너지 전환1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C14ns/185ns
테스트 조건800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지TO-264 [L]

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

전력-최대

200W

에너지 전환

3.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/410ns

테스트 조건

480V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

IHW30N160R5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 30A

전력-최대

263W

에너지 전환

2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

205nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/290ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IRG4BC30SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

68A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

전력-최대

100W

에너지 전환

260µJ (on), 3.45mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/540ns

테스트 조건

480V, 18A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

NGTB15N60R2FG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

54W

에너지 전환

550µJ (on), 220µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/190ns

테스트 조건

300V, 15A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

95ns

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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IRG7PH44K10D-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

전력-최대

320W

에너지 전환

2.1mJ (on), 1.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

75ns/315ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

130ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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