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APT40GR120B2D30

APT40GR120B2D30

참조 용

부품 번호 APT40GR120B2D30
PNEDA 부품 번호 APT40GR120B2D30
설명 IGBT 1200V 88A 500W TO247
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,380
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APT40GR120B2D30 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT40GR120B2D30
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
APT40GR120B2D30, APT40GR120B2D30 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 169.36 KB)
PDFAPT40GR120B2D30 데이터 시트 표지
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APT40GR120B2D30 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)88A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 40A
전력-최대500W
에너지 전환1.38mJ (on), 906µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/163ns
테스트 조건600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 8A

전력-최대

52W

에너지 전환

80µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

20.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/55ns

테스트 조건

300V, 8A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-83

공급자 장치 패키지

4-LDPAK

DGTD65T60S2PT

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

전력-최대

428W

에너지 전환

920µJ (on), 530µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/142ns

테스트 조건

400V, 60A, 7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

205ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRG4BC30K

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

58A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

전력-최대

100W

에너지 전환

360µJ (on), 510µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

67nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/130ns

테스트 조건

480V, 16A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGP6M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

전력-최대

88W

에너지 전환

40µJ (on), 136µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

21.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/86ns

테스트 조건

400V, 6A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

IRGP6640D-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

53A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 24A

전력-최대

200W

에너지 전환

90µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/100ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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