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APT40SM120S

APT40SM120S

참조 용

부품 번호 APT40SM120S
PNEDA 부품 번호 APT40SM120S
설명 MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,136
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT40SM120S 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT40SM120S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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APT40SM120S 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)41A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 1mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs130nC @ 20V
Vgs (최대)+25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2560pF @ 1000V
FET 기능-
전력 손실 (최대)273W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D3Pak
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 40µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2782pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQA65N06

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2410pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

183W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

IPA040N06NXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

69A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 69A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.3V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3375pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

36W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-FP

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

STW30NF20

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1597pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

IXFN32N80P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

PolarHV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8820pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

625W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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LTC1773EMS#TRPBF

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TSM2323CX RFG

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