APT42F50S
참조 용
| 부품 번호 | APT42F50S |
| PNEDA 부품 번호 | APT42F50S |
| 설명 | MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,190 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APT42F50S 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APT42F50S |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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APT42F50S 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | POWER MOS 8™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 42A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6810pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 625W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D3Pak |
| 패키지 / 케이스 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 58µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 50nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8400pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 115W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 550mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 36nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2500pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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