APT44F80B2
참조 용
| 부품 번호 | APT44F80B2 |
| PNEDA 부품 번호 | APT44F80B2 |
| 설명 | MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,848 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APT44F80B2 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APT44F80B2 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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APT44F80B2 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | POWER MOS 8™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 800V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 47A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 24A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 305nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9330pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1135W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 Variant |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 800mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.9nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 92pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 26W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 IPAK (TO-251) 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 51nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5300pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 94W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO252-3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 580mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4nC @ 4V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 60pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 200mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SMT3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 41A (Ta), 235A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 170µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 65nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 128W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-LFPAK 패키지 / 케이스 8-PowerSMD, Gull Wing |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 123mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.4nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 275pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 513mW (Ta), 6.4W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-236AB 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
