APT50M65B2FLLG
참조 용
| 부품 번호 | APT50M65B2FLLG |
| PNEDA 부품 번호 | APT50M65B2FLLG |
| 설명 | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,994 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APT50M65B2FLLG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APT50M65B2FLLG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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APT50M65B2FLLG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | POWER MOS 7® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 67A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 33.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 141nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7010pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 694W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 Variant |
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 123mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.4nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 275pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 513mW (Ta), 6.4W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-236AB 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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