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APT95GR65B2

APT95GR65B2

참조 용

부품 번호 APT95GR65B2
PNEDA 부품 번호 APT95GR65B2
설명 IGBT 650V 208A 892W T-MAX
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,616
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT95GR65B2 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT95GR65B2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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APT95GR65B2 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)208A
전류-수집기 펄스 (Icm)400A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 95A
전력-최대892W
에너지 전환3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지420nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C29ns/226ns
테스트 조건433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지T-MAX™ [B2]

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

150µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/150ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IXBT12N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.4µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

STGP30H60DFB

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

260W

에너지 전환

383µJ (on), 293µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

149nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/146ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

53ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

STGF19NC60HD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

전력-최대

32W

에너지 전환

85µJ (on), 189µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/97ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전력-최대

60W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

400ns/400ns

테스트 조건

300V, 10A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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