APTC60HM24T3G
참조 용
| 부품 번호 | APTC60HM24T3G |
| PNEDA 부품 번호 | APTC60HM24T3G |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,444 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC60HM24T3G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTC60HM24T3G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTC60HM24T3G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Super Junction |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 95A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 47.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| 전력-최대 | 462W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP3 |
| 공급자 장치 패키지 | SP3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 660mA, 410mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 385mOhm @ 660mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 600mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 270mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-70-6 (SOT-363) |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSIII FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15.1pF @ 3V 전력-최대 300mW 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 US6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 46.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2060pF @ 10V 전력-최대 900mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 25V 전력-최대 48W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 39nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1700pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
