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APTC60HM45SCTG

APTC60HM45SCTG

참조 용

부품 번호 APTC60HM45SCTG
PNEDA 부품 번호 APTC60HM45SCTG
설명 MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,838
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60HM45SCTG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60HM45SCTG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • APTC60HM45SCTG Distributor

APTC60HM45SCTG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)49A
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs150nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7200pF @ 25V
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

245pF @ 15V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3315pF @ 6V

전력-최대

2.67W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, No Lead

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.6W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, No Lead

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17pF @ 25V

전력-최대

300mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

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FET 유형

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

510mA, 340mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20pF @ 25V

전력-최대

700mW

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