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APTDF200H100G

APTDF200H100G

참조 용

부품 번호 APTDF200H100G
PNEDA 부품 번호 APTDF200H100G
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 255A SP6
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,264
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTDF200H100G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTDF200H100G
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기

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  • APTDF200H100G Distributor

APTDF200H100G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)1kV
전류-평균 정류 (Io)255A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.7V @ 200A
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1000V
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP6
공급자 장치 패키지SP6

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전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBU

공급자 장치 패키지

GBU

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ON Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

작동 온도

-55°C ~ 165°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBPM

공급자 장치 패키지

KBPM

KBU8A

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 8A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBU

공급자 장치 패키지

KBU

KBU1006

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBU

공급자 장치 패키지

KBU

APT35DL120HJ

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1.2kV

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.1V @ 35A

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 1200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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