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APTGF25H120T1G

APTGF25H120T1G

참조 용

부품 번호 APTGF25H120T1G
PNEDA 부품 번호 APTGF25H120T1G
설명 POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGF25H120T1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGF25H120T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
APTGF25H120T1G, APTGF25H120T1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 486.15 KB)
PDFAPTGF25H120T1G 데이터 시트 표지
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  • APTGF25H120T1G Distributor

APTGF25H120T1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전력-최대208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.65nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
공급자 장치 패키지SP1

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-

IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

4300W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT50A60T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

176W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

CM600DY-24A

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

3670W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

94nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRG5U150HF06A

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

660W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 34 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 34

FF450R12KE4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

C

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

520A

전력-최대

2400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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