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APTGT100SK170D1G

APTGT100SK170D1G

참조 용

부품 번호 APTGT100SK170D1G
PNEDA 부품 번호 APTGT100SK170D1G
설명 IGBT 1700V 200A 695W D1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,718
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGT100SK170D1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGT100SK170D1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
APTGT100SK170D1G, APTGT100SK170D1G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 185.58 KB)
PDFAPTGT100SK170D1G 데이터 시트 표지
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  • APTGT100SK170D1G Distributor

APTGT100SK170D1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)200A
전력-최대695W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce8.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D1
공급자 장치 패키지D1

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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

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Standard

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전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.86nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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장착 유형

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

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Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

APTGT75DH120T3G

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Asymmetrical Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

357W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

13000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 1200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

210nF @ 25V

입력

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NTC 서미스터

No

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