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APTGT50DH170TG

APTGT50DH170TG

참조 용

부품 번호 APTGT50DH170TG
PNEDA 부품 번호 APTGT50DH170TG
설명 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
제조업체 Microsemi
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGT50DH170TG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGT50DH170TG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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APTGT50DH170TG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전력-최대312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce4.4nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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전력-최대

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 67A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

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IGBT 유형

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

170A

전력-최대

830W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

150µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ISOTOP

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

VS-GA100NA60UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.4nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

CM600DU-5F

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

1100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 10V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

170nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB400TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

660A

전력-최대

2660W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

33.7nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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