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APTGT580U60D4G

APTGT580U60D4G

참조 용

부품 번호 APTGT580U60D4G
PNEDA 부품 번호 APTGT580U60D4G
설명 IGBT 600V 760A 1600W D4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,248
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGT580U60D4G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGT580U60D4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
APTGT580U60D4G, APTGT580U60D4G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 196.87 KB)
PDFAPTGT580U60D4G 데이터 시트 표지
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  • APTGT580U60D4G Distributor

APTGT580U60D4G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)760A
전력-최대1600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce37nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D4
공급자 장치 패키지D4

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전력-최대

690W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

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SP3

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

440A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

8mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

D3

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

480A

전력-최대

2170W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

38nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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-

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NPT

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전력-최대

140W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.35nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

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