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APTM08TAM04PG

APTM08TAM04PG

참조 용

부품 번호 APTM08TAM04PG
PNEDA 부품 번호 APTM08TAM04PG
설명 MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $1,216.0308
50 ---------- $1,159.0294
100 ---------- $1,102.0280
200 ---------- $1,045.0265
400 ---------- $997.5253
500 ---------- $950.0241
재고 있음 5,861
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APTM08TAM04PG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM08TAM04PG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • APTM08TAM04PG Price
  • APTM08TAM04PG Distributor

APTM08TAM04PG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)120A
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs153nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4530pF @ 25V
전력-최대138W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP6
공급자 장치 패키지SP6-P

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 25V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-PQFN (2x2)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

210mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

372nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10400pF @ 25V

전력-최대

780W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

FCAB21520L1

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 1.64mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5250pF @ 10V

전력-최대

3.8W (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

10-SMD

APTM50TAM65FPG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6-P

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Flat Leads

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