APTM100A13DG
참조 용
| 부품 번호 | APTM100A13DG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM100A13DG |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,058 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APTM100A13DG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. 부품 번호 | APTM100A13DG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- APTM100A13DG Datasheet
- where to find APTM100A13DG
- Microsemi
- Microsemi APTM100A13DG
- APTM100A13DG PDF Datasheet
- APTM100A13DG Stock
- APTM100A13DG Pinout
- Datasheet APTM100A13DG
- APTM100A13DG Supplier
- Microsemi Distributor
- APTM100A13DG Price
- APTM100A13DG Distributor
APTM100A13DG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1000V (1kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 65A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 32.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 6mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 562nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 15200pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1250W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급자 장치 패키지 | SP6 |
관심을 가질만한 제품
|
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 500pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 320mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 10V 전력-최대 990mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 780pF @ 10V 전력-최대 450mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP (5.5x6.0) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 10V 전력-최대 200mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
