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APTM100DDA35T3G

APTM100DDA35T3G

참조 용

부품 번호 APTM100DDA35T3G
PNEDA 부품 번호 APTM100DDA35T3G
설명 MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,904
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM100DDA35T3G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM100DDA35T3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • APTM100DDA35T3G Distributor

APTM100DDA35T3G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs420mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs186nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5200pF @ 25V
전력-최대390W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP3
공급자 장치 패키지SP3

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ON Semiconductor

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

ALD110814PCL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®

FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.42V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

BSZ0909NDXTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

360pF @ 15V

전력-최대

17W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-WISON-8

NTND3184NZTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12.3pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFLGA

공급자 장치 패키지

6-XLLGA (.90x.65)

DMC2450UV-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.03A, 700mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

37.1pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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