APTM100H35FTG
참조 용
| 부품 번호 | APTM100H35FTG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM100H35FTG |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,362 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM100H35FTG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM100H35FTG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTM100H35FTG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1000V (1kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 22A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| 전력-최대 | 390W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP4 |
| 공급자 장치 패키지 | SP4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 393pF @ 15V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.45A Rds On (최대) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.45A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 265pF @ 16V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지 Micro8™ |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V 전력-최대 1.3W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 510mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 304nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 공급자 장치 패키지 SOT-26 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 15V 전력-최대 1.04W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지 8-MSOP |
