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APTM120UM95FAG

APTM120UM95FAG

참조 용

부품 번호 APTM120UM95FAG
PNEDA 부품 번호 APTM120UM95FAG
설명 MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
제조업체 Microsemi
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APTM120UM95FAG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM120UM95FAG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
APTM120UM95FAG, APTM120UM95FAG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 275.8 KB)
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  • APTM120UM95FAG Distributor

APTM120UM95FAG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)103A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs114mOhm @ 51.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 15mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1122nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds30900pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2272W (Tc)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SP6
패키지 / 케이스SP6

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

PMPB15XN,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1240pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DFN2020MD-6

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

IRLR2705TRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

880pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

68W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STL3NK40

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

430mA (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

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-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta), 30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1190pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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