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APTM20TDUM16PG

APTM20TDUM16PG

참조 용

부품 번호 APTM20TDUM16PG
PNEDA 부품 번호 APTM20TDUM16PG
설명 MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
제조업체 Microsemi
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재고 있음 6,210
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APTM20TDUM16PG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM20TDUM16PG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
APTM20TDUM16PG, APTM20TDUM16PG 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 294.95 KB)
PDFAPTM20TDUM16PG 데이터 시트 표지
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APTM20TDUM16PG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)104A
Rds On (최대) @ Id, Vgs19mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7220pF @ 25V
전력-최대390W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP6
공급자 장치 패키지SP6-P

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A, 27A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1095pF @ 15V

전력-최대

3.5W, 4.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

NDS9956A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SH8J62TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

APTM50AM70FT1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

84mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

340nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10800pF @ 25V

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