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APTM50HM65FTG

APTM50HM65FTG

참조 용

부품 번호 APTM50HM65FTG
PNEDA 부품 번호 APTM50HM65FTG
설명 MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,636
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 30 - 1월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM50HM65FTG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM50HM65FTG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTM50HM65FTG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)51A
Rds On (최대) @ Id, Vgs78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7000pF @ 25V
전력-최대390W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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-

FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

310pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

490mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

570mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

FDMB3900N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DMC25D0UVT-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V, 30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400mA, 3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

26.2pF @ 10V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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