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APTM50HM75FTG

APTM50HM75FTG

참조 용

부품 번호 APTM50HM75FTG
PNEDA 부품 번호 APTM50HM75FTG
설명 MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,338
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM50HM75FTG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM50HM75FTG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTM50HM75FTG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)46A
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs123nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5600pF @ 25V
전력-최대357W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2678pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

SIA931DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

445pF @ 15V

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

SIS990DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 50V

전력-최대

25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

PHKD13N03LT,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

752pF @ 15V

전력-최대

3.57W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

BSS138BKSH

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

320mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 320mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

56pF @ 10V

전력-최대

445mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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