APTMC120AM20CT1AG
참조 용
| 부품 번호 | APTMC120AM20CT1AG |
| PNEDA 부품 번호 | APTMC120AM20CT1AG |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,732 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTMC120AM20CT1AG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTMC120AM20CT1AG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTMC120AM20CT1AG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N Channel (Phase Leg) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 143A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 2mA (Typ) |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 360nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5960pF @ 1000V |
| 전력-최대 | 600W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 공급자 장치 패키지 | SP1 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 500nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10200pF @ 800V 전력-최대 900W 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
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