APTMC120TAM34CT3AG
참조 용
| 부품 번호 | APTMC120TAM34CT3AG |
| PNEDA 부품 번호 | APTMC120TAM34CT3AG |
| 설명 | POWER MODULE - SIC MOSFET |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,982 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTMC120TAM34CT3AG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTMC120TAM34CT3AG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTMC120TAM34CT3AG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 74A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 15mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 161nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2788pF @ 1000V |
| 전력-최대 | 375W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | SP3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 240mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14.1pF @ 15V 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-963 공급자 장치 패키지 SOT-963 |
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제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 110A Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 115nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지 ISOPLUS-DIL™ |
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