APTMC60TLM55CT3AG
참조 용
| 부품 번호 | APTMC60TLM55CT3AG |
| PNEDA 부품 번호 | APTMC60TLM55CT3AG |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,916 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 22 - 4월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTMC60TLM55CT3AG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTMC60TLM55CT3AG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTMC60TLM55CT3AG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 48A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 2mA (Typ) |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 98nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1900pF @ 1000V |
| 전력-최대 | 250W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP3 |
| 공급자 장치 패키지 | SP3 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 790pF @ 15V 전력-최대 29W, 66W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V, 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 750mA, 410mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 400mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.44nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 120pF @ 10V 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88 (SC-70-6) |
