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APTML102UM09R004T3AG

APTML102UM09R004T3AG

참조 용

부품 번호 APTML102UM09R004T3AG
PNEDA 부품 번호 APTML102UM09R004T3AG
설명 MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,268
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTML102UM09R004T3AG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTML102UM09R004T3AG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTML102UM09R004T3AG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)154A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9875pF @ 25V
전력-최대480W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP3
공급자 장치 패키지SP3

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

830mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.75Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

14-DIP

CTLDM7120-M832DS BK

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 10V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

TLM832DS

FDG6332C-F085P

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA (Ta), 600mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

113pF @ 10V, 114pF @ 10V

전력-최대

300mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

SI1033X-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

145mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20pF @ 25V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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