APTSM120TAM33CTPAG
참조 용
| 부품 번호 | APTSM120TAM33CTPAG |
| PNEDA 부품 번호 | APTSM120TAM33CTPAG |
| 설명 | POWER MODULE - SIC |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,858 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTSM120TAM33CTPAG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTSM120TAM33CTPAG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTSM120TAM33CTPAG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 112A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 60A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 3mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 408nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7680pF @ 1000V |
| 전력-최대 | 714W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급자 장치 패키지 | SP6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4507pF @ 25V 전력-최대 277W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 620pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 430mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 175pF @ 16V 전력-최대 250mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 861pF @ 25V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 46A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 123nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5590pF @ 25V 전력-최대 357W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
