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ARRAYJ-60035-4P-BGA

ARRAYJ-60035-4P-BGA

참조 용

부품 번호 ARRAYJ-60035-4P-BGA
PNEDA 부품 번호 ARRAYJ-60035-4P-BGA
설명 SENSOR PHOTODIODE 420NM 9EBGA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ARRAYJ-60035-4P-BGA 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ARRAYJ-60035-4P-BGA
분류센서광 센서광 센서-포토 다이오드
데이터 시트
ARRAYJ-60035-4P-BGA, ARRAYJ-60035-4P-BGA 데이터 시트 (총 페이지: 32, 크기: 5,758.5 KB)
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ARRAYJ-60035-4P-BGA 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈ArrayJ
파장420nm
색상-강화-
분광 범위-
다이오드 유형-
nm에서의 반응-
응답 시간-
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)-
전류-어둡게 (일반)-
활성 영역9mm²
시야각-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스9-EBGA

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nm에서의 반응

-

응답 시간

450ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-어둡게 (일반)

150pA

활성 영역

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PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-어둡게 (일반)

100pA

활성 영역

-

시야각

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장착 유형

Through Hole

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색상-강화

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분광 범위

330nm ~ 720nm

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-어둡게 (일반)

-

활성 영역

5.16mm²

시야각

100°

작동 온도

-20°C ~ 75°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Radial

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제조업체

Advanced Photonix

시리즈

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파장

675nm

색상-강화

-

분광 범위

350nm ~ 1050nm

다이오드 유형

Avalanche

nm에서의 반응

135 A/W @ 750nm

응답 시간

12ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2000V

전류-어둡게 (일반)

15nA

활성 영역

78.54mm²

시야각

-

작동 온도

1°C ~ 40°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

-

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시리즈

-

파장

500nm

색상-강화

-

분광 범위

-

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

10ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-어둡게 (일반)

150pA

활성 영역

3.089mm²

시야각

-

작동 온도

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