AS3BJ-M3/5BT
참조 용
| 부품 번호 | AS3BJ-M3/5BT |
| PNEDA 부품 번호 | AS3BJ-M3-5BT |
| 설명 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,978 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AS3BJ-M3/5BT 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AS3BJ-M3/5BT |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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AS3BJ-M3/5BT 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.05V @ 3A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 1.5µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 20µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AA, SMB |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AA (SMB) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 30mA (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 400mV @ 1mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 1ns 전류-역방향 누설 @ Vr 200nA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F 2.2pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지 SOD-80 MiniMELF 작동 온도-접합 125°C (Max) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 90V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 770mV @ 10A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 4.5µA @ 90V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 TO-263AB 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 35pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 9.4A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.34V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 1107pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-257-3 공급자 장치 패키지 TO-257 작동 온도-접합 -55°C ~ 250°C |
