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AS4C256M16D3LB-10BIN

AS4C256M16D3LB-10BIN

참조 용

부품 번호 AS4C256M16D3LB-10BIN
PNEDA 부품 번호 AS4C256M16D3LB-10BIN
설명 4G DDR3 256MX16 1.35V 96-BALL FB
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C256M16D3LB-10BIN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C256M16D3LB-10BIN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C256M16D3LB-10BIN, AS4C256M16D3LB-10BIN 데이터 시트 (총 페이지: 54, 크기: 2,684.02 KB)
PDFAS4C256M16D3LB-12BINTR 데이터 시트 표지
AS4C256M16D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 2 AS4C256M16D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 3 AS4C256M16D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 4 AS4C256M16D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 5 AS4C256M16D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 6 AS4C256M16D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 7 AS4C256M16D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 8 AS4C256M16D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 9 AS4C256M16D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 10 AS4C256M16D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 11

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  • AS4C256M16D3LB-10BIN Distributor

AS4C256M16D3LB-10BIN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (9x13.5)

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (128 x 8 x 2)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOP

71V3556S100PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

CY14E512Q1A-SXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

S29CL016J0JQFM033

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

CL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (512K x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

54ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

80-BQFP

공급자 장치 패키지

80-PQFP (20x20)

IS43DR16128C-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (8x12.5)

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