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AS4C32M32MD1A-5BIN

AS4C32M32MD1A-5BIN

참조 용

부품 번호 AS4C32M32MD1A-5BIN
PNEDA 부품 번호 AS4C32M32MD1A-5BIN
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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예상 배송 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C32M32MD1A-5BIN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C32M32MD1A-5BIN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C32M32MD1A-5BIN, AS4C32M32MD1A-5BIN 데이터 시트 (총 페이지: 64, 크기: 2,072.78 KB)
PDFAS4C32M32MD1A-5BINTR 데이터 시트 표지
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AS4C32M32MD1A-5BIN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5ns
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-VFBGA
공급자 장치 패키지90-FBGA (8x13)

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Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

AS4C32M16SB-6TIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

IS43R83200D-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP II

71256S55DB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-CerDip

IS62WV102416GBLL-45TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

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