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AS4C512M8D3LB-12BAN

AS4C512M8D3LB-12BAN

참조 용

부품 번호 AS4C512M8D3LB-12BAN
PNEDA 부품 번호 AS4C512M8D3LB-12BAN
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 8,748
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예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C512M8D3LB-12BAN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C512M8D3LB-12BAN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C512M8D3LB-12BAN, AS4C512M8D3LB-12BAN 데이터 시트 (총 페이지: 53, 크기: 2,489.54 KB)
PDFAS4C512M8D3LB-12BAN 데이터 시트 표지
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  • AS4C512M8D3LB-12BAN Distributor

AS4C512M8D3LB-12BAN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-VFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (10.5x9)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT25QU512ABB8E12-0AUT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 2.8ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-T-PBGA (6x8)

MT40A256M16LY-062E AUT:F

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.6GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

19ns

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (7.5x13.5)

24CW640T-I/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

24CW

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

450ns

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

F640BFHEPBTLDY

Sharp Microelectronics

제조업체

Sharp Microelectronics

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

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