AS6C2016-55BINTR
참조 용
| 부품 번호 | AS6C2016-55BINTR |
| PNEDA 부품 번호 | AS6C2016-55BINTR |
| 설명 | IC SRAM 2M PARALLEL 48TFBGA |
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,106 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AS6C2016-55BINTR 리소스
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AS6C2016-55BINTR 사양
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | SRAM |
| 기술 | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 2Mb (128K x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 55ns |
| 접근 시간 | 55ns |
| 전압-공급 | 2.7V ~ 5.5V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 48-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 48-TFBGA (6x8) |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 e•MMC™ 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND 메모리 크기 128Gb (16G x 8) 메모리 인터페이스 MMC 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LBGA 공급자 장치 패키지 100-LBGA (14x18) |
