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AT-42010

AT-42010

참조 용

부품 번호 AT-42010
PNEDA 부품 번호 AT-42010
설명 RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD
제조업체 Broadcom
단가 견적 요청
재고 있음 7,866
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT-42010 리소스

브랜드 Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT-42010
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
AT-42010, AT-42010 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 140.13 KB)
PDFAT-42010 데이터 시트 표지
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AT-42010 사양

제조업체Broadcom Limited
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
이득10dB ~ 13.5dB
전력-최대600mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 35mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
작동 온도200°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-SMD (100 mil)
공급자 장치 패키지-

관심을 가질만한 제품

MS1004

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

55V

주파수-전환

30MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

14.5dB

전력-최대

330W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 10A, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M177

공급자 장치 패키지

M177

BFR 193W E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

10.5dB ~ 16dB

전력-최대

580mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

8.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

이득

-

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323-3

SD1275

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

16V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

9dB

전력-최대

70W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

M135

공급자 장치 패키지

M135

CPH6001A-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

6.7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

이득

11dB

전력-최대

800mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 30mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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WSL20108L000FEA

WSL20108L000FEA

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RES 0.008 OHM 1% 1/2W 2010

76SB08ST

76SB08ST

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MAX97220AETE+

MAX97220AETE+

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ADM1087AKSZ-REEL7

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ADG406BPZ-REEL

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MBR140SFT1G

MBR140SFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L