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AT27BV4096-15VC

AT27BV4096-15VC

참조 용

부품 번호 AT27BV4096-15VC
PNEDA 부품 번호 AT27BV4096-15VC
설명 IC EPROM 4M PARALLEL 40VSOP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT27BV4096-15VC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT27BV4096-15VC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT27BV4096-15VC, AT27BV4096-15VC 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 182.19 KB)
PDFAT27BV4096-12JU 데이터 시트 표지
AT27BV4096-12JU 데이터 시트 페이지 2 AT27BV4096-12JU 데이터 시트 페이지 3 AT27BV4096-12JU 데이터 시트 페이지 4 AT27BV4096-12JU 데이터 시트 페이지 5 AT27BV4096-12JU 데이터 시트 페이지 6 AT27BV4096-12JU 데이터 시트 페이지 7 AT27BV4096-12JU 데이터 시트 페이지 8 AT27BV4096-12JU 데이터 시트 페이지 9 AT27BV4096-12JU 데이터 시트 페이지 10 AT27BV4096-12JU 데이터 시트 페이지 11

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  • AT27BV4096-15VC Distributor

AT27BV4096-15VC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간150ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스40-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지40-VSOP

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AT49BV002N-12VC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

120ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-VSOP

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA (10.5x13)

MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IS61DDB44M18A-300M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.71V ~ 1.89V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-LFBGA (15x17)

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