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AT27LV256A-70RC

AT27LV256A-70RC

참조 용

부품 번호 AT27LV256A-70RC
PNEDA 부품 번호 AT27LV256A-70RC
설명 IC EPROM 256K PARALLEL 28SOIC
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 3,618
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT27LV256A-70RC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT27LV256A-70RC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT27LV256A-70RC, AT27LV256A-70RC 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 284.84 KB)
PDFAT27LV256A-90TI 데이터 시트 표지
AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 2 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 3 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 4 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 5 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 6 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 7 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 8 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 9 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 10 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 11

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AT27LV256A-70RC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간70ns
전압-공급3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
공급자 장치 패키지28-SOIC

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (256M x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-FBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (9.5x11.5)

IDT71V65803S133PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

GD5F2GQ4UEYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

제조업체

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

120MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

700µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x8)

IS43LR32160B-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

512Mb (16M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5.5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

IDT71V2558S166BG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

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