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AT28LV256-25PI

AT28LV256-25PI

참조 용

부품 번호 AT28LV256-25PI
PNEDA 부품 번호 AT28LV256-25PI
설명 IC EEPROM 256K PARALLEL 28DIP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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AT28LV256-25PI 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT28LV256-25PI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT28LV256-25PI, AT28LV256-25PI 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 540.34 KB)
PDFAT28LV256-25TI 데이터 시트 표지
AT28LV256-25TI 데이터 시트 페이지 2 AT28LV256-25TI 데이터 시트 페이지 3 AT28LV256-25TI 데이터 시트 페이지 4 AT28LV256-25TI 데이터 시트 페이지 5 AT28LV256-25TI 데이터 시트 페이지 6 AT28LV256-25TI 데이터 시트 페이지 7 AT28LV256-25TI 데이터 시트 페이지 8 AT28LV256-25TI 데이터 시트 페이지 9 AT28LV256-25TI 데이터 시트 페이지 10 AT28LV256-25TI 데이터 시트 페이지 11

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AT28LV256-25PI 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ms
접근 시간250ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스28-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지28-PDIP

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S70FL01GSAGBHIC10

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (8x6)

AT28C256E-25FM/883

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

250ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-CFlatPack

공급자 장치 패키지

28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

CY14ME064Q2B-SXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS43TR16640B-125JBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-TWBGA (9x13)

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