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AT45DB081D-SSU-2.5-SL383

AT45DB081D-SSU-2.5-SL383

참조 용

부품 번호 AT45DB081D-SSU-2.5-SL383
PNEDA 부품 번호 AT45DB081D-SSU-2-5-SL383
설명 IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8SOIC
제조업체 Adesto Technologies
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AT45DB081D-SSU-2.5-SL383 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DB081D-SSU-2.5-SL383
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DB081D-SSU-2.5-SL383, AT45DB081D-SSU-2.5-SL383 데이터 시트 (총 페이지: 53, 크기: 1,462.26 KB)
PDFAT45DB081D-SU SL955-AD 데이터 시트 표지
AT45DB081D-SU SL955-AD 데이터 시트 페이지 2 AT45DB081D-SU SL955-AD 데이터 시트 페이지 3 AT45DB081D-SU SL955-AD 데이터 시트 페이지 4 AT45DB081D-SU SL955-AD 데이터 시트 페이지 5 AT45DB081D-SU SL955-AD 데이터 시트 페이지 6 AT45DB081D-SU SL955-AD 데이터 시트 페이지 7 AT45DB081D-SU SL955-AD 데이터 시트 페이지 8 AT45DB081D-SU SL955-AD 데이터 시트 페이지 9 AT45DB081D-SU SL955-AD 데이터 시트 페이지 10 AT45DB081D-SU SL955-AD 데이터 시트 페이지 11

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AT45DB081D-SSU-2.5-SL383 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기8Mb (264 Bytes x 4096 pages)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지4ms
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

IS61LV5128AL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-TFBGA

공급자 장치 패키지

36-miniBGA (8x10)

MT42L384M32D3LP-25 WT:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

12Gb (384M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.3V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

24LC515-I/SM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIJ

SST39VF512-70-4I-NHE-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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