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AT45DB081E-SSHNHC-T

AT45DB081E-SSHNHC-T

참조 용

부품 번호 AT45DB081E-SSHNHC-T
PNEDA 부품 번호 AT45DB081E-SSHNHC-T
설명 IC FLASH 8M SPI 85MHZ 8SOIC
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,622
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT45DB081E-SSHNHC-T 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DB081E-SSHNHC-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DB081E-SSHNHC-T, AT45DB081E-SSHNHC-T 데이터 시트 (총 페이지: 70, 크기: 2,568.76 KB)
PDFAT45DB081E-UUN2B-T 데이터 시트 표지
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AT45DB081E-SSHNHC-T 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기8Mb (256 Bytes x 4096 pages)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수85MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8µs, 4ms
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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제조업체

Sharp Microelectronics

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

-

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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48-TSOP

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

250kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

MT41K512M16TNA-125 M:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.5ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

90ns

전압-공급

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장착 유형

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