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AT45DQ321-MHF2B-T

AT45DQ321-MHF2B-T

참조 용

부품 번호 AT45DQ321-MHF2B-T
PNEDA 부품 번호 AT45DQ321-MHF2B-T
설명 IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8UDFN
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,326
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT45DQ321-MHF2B-T 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DQ321-MHF2B-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DQ321-MHF2B-T, AT45DQ321-MHF2B-T 데이터 시트 (총 페이지: 82, 크기: 2,728.2 KB)
PDFAT45DQ321-SHD-T 데이터 시트 표지
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AT45DQ321-MHF2B-T 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기32Mb (512 Bytes x 8192 pages)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8µs, 4ms
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-UDFN (5x6)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (256K x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOJ

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

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AT49LH004-33TC-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

-

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

40-TSOP

70V659S12BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-LFBGA

공급자 장치 패키지

208-FPBGA (15x15)

IS43R16160D-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

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