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AT49F001N-55PC

AT49F001N-55PC

참조 용

부품 번호 AT49F001N-55PC
PNEDA 부품 번호 AT49F001N-55PC
설명 IC FLASH 1M PARALLEL 32DIP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 3,762
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 10 - 11월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT49F001N-55PC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT49F001N-55PC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT49F001N-55PC, AT49F001N-55PC 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 208.25 KB)
PDFAT49F001N-90VI 데이터 시트 표지
AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 2 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 3 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 4 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 5 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 6 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 7 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 8 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 9 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 10 AT49F001N-90VI 데이터 시트 페이지 11

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AT49F001N-55PC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs
접근 시간55ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스32-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지32-PDIP

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.5V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

CY7C025E-25AXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Xccela™ - MT35X

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Xccela Bus

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-TPBGA

CY15E004Q-SXE

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

16MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT28F400B5SG-8 TET TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

80ns

접근 시간

80ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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