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AT49F001N-55TI

AT49F001N-55TI

참조 용

부품 번호 AT49F001N-55TI
PNEDA 부품 번호 AT49F001N-55TI
설명 IC FLASH 1M PARALLEL 32TSOP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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AT49F001N-55TI 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT49F001N-55TI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT49F001N-55TI, AT49F001N-55TI 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 208.25 KB)
PDFAT49F001N-90VI 데이터 시트 표지
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AT49F001N-55TI 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs
접근 시간55ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지32-TSOP

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (64M x 4)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-T-PBGA (6x8)

DSM2190F4V-15T6

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

150ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-QFP

공급자 장치 패키지

52-PQFP (10x10)

BR24T16FVT-WE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP-B

IS49RL18320-093EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (32M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.066GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

1.28V ~ 1.42V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-LBGA

공급자 장치 패키지

168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

71V65603S100BG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

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