AT93C46DN-SH-B
참조 용
| 부품 번호 | AT93C46DN-SH-B |
| PNEDA 부품 번호 | AT93C46DN-SH-B |
| 설명 | IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8SOIC |
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,426 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AT93C46DN-SH-B 리소스
| 브랜드 | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AT93C46DN-SH-B |
| 분류 | 반도체 › 메모리 IC › 기억 |
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AT93C46DN-SH-B 사양
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | EEPROM |
| 기술 | EEPROM |
| 메모리 크기 | 1Kb (128 x 8, 64 x 16) |
| 메모리 인터페이스 | SPI |
| 시계 주파수 | 2MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 5ms |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 1.8V ~ 5.5V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-TFBGA (8x13) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 6.5ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x14) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5.5ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-TFBGA (8x13) |
