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AUIRF1324S

AUIRF1324S

참조 용

부품 번호 AUIRF1324S
PNEDA 부품 번호 AUIRF1324S
설명 MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,650
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AUIRF1324S 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AUIRF1324S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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AUIRF1324S 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.65mOhm @ 195A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs240nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7590pF @ 24V
FET 기능-
전력 손실 (최대)300W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42.07nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

18-ULCC (9.14x7.49)

패키지 / 케이스

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

148mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

816pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

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IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

590A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6V @ 110mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2000nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2200W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

Y3-DCB

패키지 / 케이스

Y3-DCB

IXFN170N10

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

515nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

600W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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Diodes Incorporated

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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