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AUIRGP50B60PD1

AUIRGP50B60PD1

참조 용

부품 번호 AUIRGP50B60PD1
PNEDA 부품 번호 AUIRGP50B60PD1
설명 IGBT 600V 75A 390W TO247AC
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $64.0187
50 ---------- $61.0178
100 ---------- $58.0169
200 ---------- $55.0161
400 ---------- $52.5153
500 ---------- $50.0146
재고 있음 126
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AUIRGP50B60PD1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AUIRGP50B60PD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
AUIRGP50B60PD1, AUIRGP50B60PD1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 565.47 KB)
PDFAUIRGP50B60PD1E 데이터 시트 표지
AUIRGP50B60PD1E 데이터 시트 페이지 2 AUIRGP50B60PD1E 데이터 시트 페이지 3 AUIRGP50B60PD1E 데이터 시트 페이지 4 AUIRGP50B60PD1E 데이터 시트 페이지 5 AUIRGP50B60PD1E 데이터 시트 페이지 6 AUIRGP50B60PD1E 데이터 시트 페이지 7 AUIRGP50B60PD1E 데이터 시트 페이지 8 AUIRGP50B60PD1E 데이터 시트 페이지 9 AUIRGP50B60PD1E 데이터 시트 페이지 10 AUIRGP50B60PD1E 데이터 시트 페이지 11

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AUIRGP50B60PD1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.85V @ 15V, 50A
전력-최대390W
에너지 전환255µJ (on), 375µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지205nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/130ns
테스트 조건390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)42ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AC

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제조업체

IXYS

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

전력-최대

150W

에너지 전환

240µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/75ns

테스트 조건

480V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGD5NB120SZ-1

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

10A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

전력-최대

75W

에너지 전환

2.59mJ (on), 9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

690ns/12.1µs

테스트 조건

960V, 5A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

I-PAK

NGTD14T65F2WP

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

IRGIB7B60KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

전력-최대

39W

에너지 전환

160µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

29nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/140ns

테스트 조건

400V, 8A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

95ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

NGTD20T120F2WP

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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